深準位過渡分光法によってモニタした炭化けい素中の深い欠陥中心

DALIBOR T; PENSL G; MATSUNAMI H; KIMOTO T; CHOYKE W J; SCHOENER A; NORDELL N

文献

J-GLOBAL ID：200902128679581544 整理番号：97A0806608

深準位過渡分光法によってモニタした炭化けい素中の深い欠陥中心

Deep Defect Centers in Silicon Carbide Monitored with Deep Level Transient Spectroscopy.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=97A0806608&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0806608&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0774A") }}

著者 (7件)：

DALIBOR T

DALIBOR T について

名寄せID(JGPN) 200901100559860355 ですべてを検索
「DALIBOR T」ですべてを検索

(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)

Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU について

名寄せID(JGON) 201551000096027733 ですべてを検索
「Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU」ですべてを検索

PENSL G

PENSL G について

名寄せID(JGPN) 200901100599934793 ですべてを検索
「PENSL G」ですべてを検索

(Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)

Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU について

名寄せID(JGON) 201551000096027733 ですべてを検索
「Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU」ですべてを検索

MATSUNAMI H

MATSUNAMI H について

名寄せID(JGPN) 200901100587689157 ですべてを検索
「MATSUNAMI H」ですべてを検索

(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

Kyoto Univ., Kyoto, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000097281374 ですべてを検索
「Kyoto Univ., Kyoto, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

KIMOTO T

KIMOTO T について

名寄せID(JGPN) 200901100469442694 ですべてを検索
「KIMOTO T」ですべてを検索

(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

Kyoto Univ., Kyoto, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000097281374 ですべてを検索
「Kyoto Univ., Kyoto, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

CHOYKE W J

CHOYKE W J について

名寄せID(JGPN) 200901100308621211 ですべてを検索
「CHOYKE W J」ですべてを検索

(Univ. Pittsburgh, PA, USA)

Univ. Pittsburgh, PA, USA について

名寄せID(JGON) 201551000097258402 ですべてを検索
「Univ. Pittsburgh, PA, USA」ですべてを検索

SCHOENER A

SCHOENER A について

名寄せID(JGPN) 200901100430034807 ですべてを検索
「SCHOENER A」ですべてを検索

(Industrial Microelectronics Center (imc), Stockholm, SWE)

Industrial Microelectronics Center (imc), Stockholm, SWE について

名寄せID(JGON) 201551000066481537 ですべてを検索
「Industrial Microelectronics Center (imc), Stockholm, SWE」ですべてを検索

NORDELL N

NORDELL N について

名寄せID(JGPN) 200901100573939924 ですべてを検索
「NORDELL N」ですべてを検索

(Industrial Microelectronics Center (imc), Stockholm, SWE)

Industrial Microelectronics Center (imc), Stockholm, SWE について

名寄せID(JGON) 201551000066481537 ですべてを検索
「Industrial Microelectronics Center (imc), Stockholm, SWE」ですべてを検索

資料名：

Physica Status Solidi. A. Applied Research (Physica Status Solidi. A. Applied Research)

Physica Status Solidi. A. Applied Research について

JST資料番号 D0774A ですべてを検索
ISSN,ISBN,CODENですべてを検索
資料情報を見る

巻： 162 号： 1 ページ： 199-225 発行年： 1997年07月16日
JST資料番号： D0774A ISSN： 0031-8965 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：文献レビュー発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

抄録/ポイント：

抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

3C,4H及び6H-SiCポリタイプ中の深い欠陥中心に関して...

シソーラス用語：

シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

炭化ケイ素

炭化ケイ素について

「炭化ケイ素」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0806608&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0774A") }}

分類 (1件)：

分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです

不純物・欠陥の電子構造

(BM02100I)

不純物・欠陥の電子構造について

分類コード BM02100I で文献を検索
分類コード4桁 BM02 で文献を検索

タイトルに関連する用語 (4件)：

タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

深準位過渡分光法

深準位過渡分光法について

「深準位過渡分光法」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

モニタ

モニタについて

「モニタ」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

炭化けい素

炭化けい素について

「炭化けい素」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

欠陥

欠陥について

「欠陥」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

前のページに戻る