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J-GLOBAL ID：200902128895400937   整理番号：94A0113709

X-ray topographic study of the formation of misfit dislocations at the GaAs/Ge(001) interface.

著者 (4件)： BURLE N (Univ. Aix-Marseille III, Marseille, FRA) ,  PICHAUD B (Univ. Aix-Marseille III, Marseille, FRA) ,  GUELTON N (INRS Energie et Materiaux, Quebec, CAN) ,  ST-JACQUES R G (INRS Energie et Materiaux, Quebec, CAN)
資料名： Institute of Physics Conference Series  (Institute of Physics Conference Series)
号： 134  ページ： 573-576  発行年： 1993年 
JST資料番号： E0403B  ISSN： 0305-2346  CODEN： IPHSAC  資料種別： 会議録 (C)
発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaAs ,  Ge