GaAs量子井戸でのサブバンド間吸収線幅に及ぼす界面粗さおよびフォノン散乱の影響

UNUMA T; TAKAHASHI T; NODA T; YOSHITA M; SAKAKI H; BABA M; AKIYAMA H

文献

J-GLOBAL ID：200902128985719568 整理番号：01A0670350

GaAs量子井戸でのサブバンド間吸収線幅に及ぼす界面粗さおよびフォノン散乱の影響

Effects of interface roughness and phonon scattering on intersubband absorption linewidth in a GaAs quantum well.

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資料名：
巻： 78 号： 22 ページ： 3448-3450 発行年： 2001年05月28日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標題の影響を,MBE法で調製した変調ドープGaAs/AlAs...

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半導体薄膜 , 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル

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