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J-GLOBAL ID：200902128995571429   整理番号：00A0098873

電力半導体デバイスの電力損失と接合温度の解析

Power Loss and Junction Temperature Analysis of Power Semiconductor Devices.

著者 (6件)： XU D (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  LU H (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  HUANG L (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  AZUMA S (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KIMATA M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  UCHIDA R (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名： Conference Record of the IEEE Industry Applications Conference  (Conference Record of the IEEE Industry Applications Conference)
巻： 1999  号： Vol.1  ページ： 729-734  発行年： 1999年 
JST資料番号： A0713B  ISSN： 0197-2618  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新たに開発された電気-熱計算方法を用いて,IGBTデバイスの...

シソーラス用語： *IGBT ,...
準シソーラス用語： 接合温度

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導体デバイス ,  電力損失 ,  接合温度 ,  解析