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J-GLOBAL ID：200902129028227595   整理番号：01A0686760

高い窒素組成をもつ窒化炭素薄膜の内殻準位と価電子帯特性

Core-level and valence-band characteristics of carbon nitride films with high nitrogen content.

著者 (6件)： ZHAO J P (Shikoku National Industrial Res. Inst., Takamatsu, JPN) ,  CHEN Z Y (Shikoku National Industrial Res. Inst., Takamatsu, JPN) ,  YANO T (Shikoku National Industrial Res. Inst., Takamatsu, JPN) ,  OOIE T (Shikoku National Industrial Res. Inst., Takamatsu, JPN) ,  YONEDA M (Shikoku National Industrial Res. Inst., Takamatsu, JPN) ,  SAKAKIBARA J (Shikoku National Industrial Res. Inst., Takamatsu, JPN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 73  号： 1  ページ： 97-101  発行年： 2001年07月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒素分圧0.1~20.0Torrにおける反応性パルスレーザ堆...

シソーラス用語： 窒素 ,...
準シソーラス用語： *価電子帯

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分類 (2件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒素 ,  組成 ,  窒化 ,  炭素薄膜 ,  内殻準位 ,  価電子帯