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J-GLOBAL ID：200902129395021219   整理番号：98A0293263

RuO₂及びRuボトム電極のアニーリングと(Ba,Sr)TiO₃薄膜の電気特性へのその効果

Annealing of RuO₂ and Ru Bottom Electrodes and Its Effects on the Electrical Properties of (Ba,Sr)TiO₃ Thin Films.

著者 (4件)： AHN J-H (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Taejon, KOR) ,  CHOI W-Y (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Taejon, KOR) ,  LEE W-J (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Taejon, KOR) ,  KIM H-G (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Taejon, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 37  号： 1  ページ： 284-289  発行年： 1998年01月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アニールしたRuO₂及びRu薄膜の結晶...

シソーラス用語： *酸化ルテニウム ,...
準シソーラス用語： アニール

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (13件)：

• 1) Y. Nishioka et al.: Dig. Int. Electron Devices Meeting, Washington D.C., 1995 (IEEE, New York, 1995) 903.
• 2) S. Yamamichi et al.: Dig. Int. Electron Devices Meeting, Washington D.C., 1995 (IEEE, New York, 1995) 119.
• 3) K. P. Lee et al.: Dig. Int. Electron Devices Meeting, Washington D.C., 1995 (IEEE, New York, 1995) 907.
• 4) P-Y. Lesaicherre et al.: Dig. Int. Electron Devices Meeting, San Francisco, 1994 (IEEE, New York, 1994) 831.
• 5) J. S. Lee, H. J. Kwon, Y. W. Jeong, H. H. Kim, K. H. Park, and C. Y. Kim: Ferroelectric Thin Films V (MRS, Pennsylvania, 1996) p. 175.

タイトルに関連する用語 (7件)： Ru ,  ボトム ,  アニーリング ,  Ba ,  Sr ,  薄膜 ,  電気特性