750°CのNa-Ga融液と5MPaの窒素からのGaN単結晶成長

文献

J-GLOBAL ID：200902129426094740 整理番号：00A1061776

Growth of GaN single crystals from a Na-Ga melt at 750°C and 5MPa of N₂.

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資料名：
巻： 218 号： 1 ページ： 7-12 発行年： 2000年09月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

BNるつぼ中のNa-Ga融液を,750°Cで200時間,5MP...

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半導体の結晶成長

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