文献
J-GLOBAL ID:200902129426094740   整理番号:00A1061776

750°CのNa-Ga融液と5MPaの窒素からのGaN単結晶成長

Growth of GaN single crystals from a Na-Ga melt at 750°C and 5MPa of N2.
著者 (8件):
資料名:
巻: 218  号:ページ: 7-12  発行年: 2000年09月 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
BNるつぼ中のNa-Ga融液を,750°Cで200時間,5MP...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A1061776&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の結晶成長 
タイトルに関連する用語 (6件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る