文献
J-GLOBAL ID:200902129488940397
整理番号:95A1037253
In-Situ電気化学プロセスを用いたPtゲートInP MESFETの製作
Fabrication of Pt Gate InP MESFET by In-Situ Electrochemical Process.
-
出版者サイト
複写サービスで全文入手
-
高度な検索・分析はJDreamⅢで
{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=95A1037253&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0055A") }}