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J-GLOBAL ID：200902130023222640   整理番号：00A0914719

第1原理によるSi/SiO₂界面の電子特性

Electronic Properties of the Si/SiO₂ Interface from First Principles.

著者 (3件)： NEATON J B (Cornell Univ., New York) ,  MULLER D A (Bell Lab., New Jersey) ,  ASHCROFT N W (Cornell Univ., New York)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 85  号： 6  ページ： 1298-1301  発行年： 2000年08月07日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： モデルSi/SiO₂界面における非占有...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 第1原理 ,  Si ,  SiO2 ,  界面 ,  電子