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J-GLOBAL ID：200902130300786114   整理番号：95A0910836

ArFエキシマレーザアブレーションによるSrBi₄Ti₄O₁₅/Bi₂Sr₂CuO_6+y構造のヘテロエピタキシャル成長

Heteroepitaxial Growth of SrBi₄Ti₄O₁₅/Bi₂Sr₂CuO_6+y Structure by ArF Excimer Laser Ablation.

著者 (5件)： TACHIKI M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MATSUTANI M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  FUJII T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SAKAGUCHI Y (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KOBAYASHI T (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 34  号： 9A  ページ： L1145-L1147  発行年： 1995年09月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エキシマレーザ蒸着法で標記薄膜を(100)MgO基板上に成長...

シソーラス用語： レーザアブレーション ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (16件)：

• PAZ de ARAUJO, C. A. Int.Patent Publication No.WO93/12542. 1993
• SUBBARAO, E. C. J.Phys.Chem.Solids. 1962, 23, 665
• TAKEI, W. J. J.Vac.Sci.& Technol. 1969, 7, 442
• RAMESH, R. Appl.Phys.Lett. 1990, 57, 1505
• BUHAY, H. Appl.Phys.Lett. 1991, 58, 1470

タイトルに関連する用語 (3件)： ArFエキシマレーザ ,  アブレーション ,  成長