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J-GLOBAL ID：200902130425472375   整理番号：95A0723795

バルク多孔性炭素中のSiCホイスカのその場成長に関するプロセスパラメータ

Process parameters for in situ growth of SiC whiskers in bulk porous carbon.

著者 (3件)： HUA C K (Central South Univ. Technol., Changsha, CHN) ,  DAN P (Central South Univ. Technol., Changsha, CHN) ,  QIANG X Z (Northeastern Univ., Shenyang, CHN)
資料名： British Ceramic Transactions  (British Ceramic Transactions)
巻： 94  号： 3  ページ： 118-122  発行年： 1995年 
JST資料番号： E0272A  ISSN： 0967-9782  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルク多孔性炭素中でSiCホイスカをその場成長させ,成長プロ...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (6件)： バルク ,  多孔性炭素 ,  SiC ,  ホイスカ ,  その場成長 ,  プロセスパラメータ