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J-GLOBAL ID:200902130466817786   整理番号:02A0536525

R面(10-12)サファイア基板上へのGaN/AlxGa1-xN多重量子井戸の分子ビームエピタクシー

Molecular-beam epitaxy of GaN/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N multiple quantum wells on R-plane (10<span style=text-decoration:overline>1-</span>2) sapphire substrates.
著者 (1件):
資料名:
巻: 80  号: 23  ページ: 4369-4371  発行年: 2002年06月10日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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プラズマ支援MBE法によってR面とC面サファイア基板に組成x...
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分類 (2件):
分類
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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  ,  半導体のルミネセンス 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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