コバルトシリサイドを使用したp型6H-SiCへの熱的に安定な低抵抗Ohm接触

文献

J-GLOBAL ID：200902130910942983 整理番号：97A0033496

Thermally stable low ohmic contacts to p-type 6H-SiC using cobalt silicides.

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巻： 39 号： 11 ページ： 1559-1565 発行年： 1996年11月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

標題の低比接触抵抗(ρ<sub>c</sub><4.0±0...

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固体デバイス製造技術一般

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