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J-GLOBAL ID：200902130929094274   整理番号：00A0137713

強磁性半導体ヘテロ構造への電気的なスピン注入

Electrical spin injection in a ferromagnetic semiconductor heterostructure.

著者 (6件)： OHNO Y (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YOUNG D K (Univ. California, California, USA) ,  BESCHOTEN B (Univ. California, California, USA) ,  MATSUKURA F (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHNO H (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  AWSCHALOM D D (Univ. California, California, USA)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 402  号： 6763  ページ： 790-792  発行年： 1999年12月16日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs基板上にIII-Vヘテロ構造(p-GaMnAs/i-...

シソーラス用語： 強磁性半導体 ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 強磁性半導体 ,  ヘテロ構造 ,  スピン注入