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J-GLOBAL ID：200902131212833800   整理番号：01A0523875

AlGaN/GaN HEMTにおけるキャリア捕獲効果とマイクロ波電力特性

Trapping Effects and Microwave Power Performance in AlGaN/GaN HEMTs.

著者 (9件)： BINARI S C (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  IKOSSI K (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  ROUSSOS J A (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  KRUPPA W (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  PARK D (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  DIETRICH H B (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  KOLESKE D D (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  WICKENDEN A E (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA) ,  HENRY R L (Naval Res. Lab., Washington, D.C., USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48  号： 3  ページ： 465-471  発行年： 2001年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN HEMTのdc,小信号およびマイクロ波電...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 最大発振周波数 ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  マイクロ波・ミリ波通信  (ND08020W)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  キャリア捕獲 ,  マイクロ波電力