エピタキシャル成長YMnO<sub>3</sub>膜 不揮発性メモリ素子の新しい候補

FUJIMURA N; ISHIDA T; YOSHIMURA T; ITO T

文献

J-GLOBAL ID：200902131318317126 整理番号：96A0764353

エピタキシャル成長YMnO₃膜不揮発性メモリ素子の新しい候補

Epitaxially grown YMnO₃ film: New candidate for nonvolatile memory devices.

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巻： 69 号： 7 ページ： 1011-1013 発行年： 1996年08月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

rfマグネトロンスパッタでMgO(111),ZnO(0001...

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酸化物薄膜 , 強誘電体,反強誘電体,強弾性 , 固体デバイス材料

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エピタキシャル成長YMnO3膜 不揮発性メモリ素子の新しい候補

エピタキシャル成長YMnO₃膜不揮発性メモリ素子の新しい候補