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J-GLOBAL ID:200902131318317126   整理番号:96A0764353

エピタキシャル成長YMnO3膜 不揮発性メモリ素子の新しい候補

Epitaxially grown YMnO3 film: New candidate for nonvolatile memory devices.
著者 (4件):
資料名:
巻: 69  号:ページ: 1011-1013  発行年: 1996年08月12日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (3件):
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酸化物薄膜  ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  ,  固体デバイス材料 
タイトルに関連する用語 (3件):
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