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J-GLOBAL ID：200902131476281210   整理番号：02A0475783

室温レーザアブレーションで堆積させた酸化インジウムすず薄膜における酸素導入の機構

Mechanisms of oxygen incorporation in indium-tin-oxide-films deposited by laser ablation at room temperature.

著者 (3件)： MORALES-PALIZA M A (Vanderbilt Univ., Tennessee) ,  HAGLUND R F JR (Vanderbilt Univ., Tennessee) ,  FELDMAN L C (Vanderbilt Univ., Tennessee)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 80  号： 20  ページ： 3757-3759  発行年： 2002年05月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ¹⁸O₂ガスを使...

シソーラス用語： *レーザアブレーション ,...
準シソーラス用語： ITO【固溶体】

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 室温 ,  レーザアブレーション ,  堆積 ,  酸化インジウムすず ,  薄膜 ,  酸素