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J-GLOBAL ID：200902131598660769   整理番号：98A0241536

ほう素をドープしたダイヤモンド薄膜上におけるCuのアンダポテンシャル電着

Underpotential Deposition of Cu on Boron-Doped Diamond Thin Films.

著者 (6件)： BOUAMRANE F (LPSB, CNRS, Meudon, FRA) ,  TADJEDDINE A (Univ. Paris-Sud(XI), Orsay, FRA) ,  TENNE R (Weizmann Inst., Rehovot, ISR) ,  BUTLER J E (Naval Res. Lab., Washington, D.C.) ,  KALISH R (Technion, Haifa, ISR) ,  LEVY-CLEMENT C (LPSB, CNRS, Meudon, FRA)
資料名： Journal of Physical Chemistry B  (Journal of Physical Chemistry B)
巻： 102  号： 1  ページ： 134-140  発行年： 1998年01月01日 
JST資料番号： W0921A  ISSN： 1520-6106  CODEN： JPCBFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ほう素をドープした3種のダイヤモンド薄膜電極上におけるCuの...

シソーラス用語： *銅 ,...
準シソーラス用語： 黒鉛

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分類 (1件)： 電極過程  (CB07040U)

タイトルに関連する用語 (5件)： ほう素 ,  ドープ ,  ダイヤモンド薄膜 ,  Cu ,  アンダポテンシャル電着