プラズマ促進MBE法によりGaおよびNに富む条件下で成長させたGaN薄膜の特性

BOTCHKAREV A; SALVADOR A; SVERDLOV B; MYOUNG J; MORKOC H

文献

J-GLOBAL ID：200902131605279812 整理番号：95A0517494

プラズマ促進MBE法によりGaおよびNに富む条件下で成長させたGaN薄膜の特性

Properties of GaN films grown under Ga and N rich conditions with plasma enhanced molecular beam epitaxy.

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巻： 77 号： 9 ページ： 4455-4458 発行年： 1995年05月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ECR活性化Nプラズマ支援MBE法でサファイアおよびSiC基...

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半導体薄膜 , 金属-絶縁体-半導体構造

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