文献

J-GLOBAL ID：200902131659995114   整理番号：00A0747065

低補償ほう素ドープホモエピタキシャルダイアモンド膜

Low-compensated boron-doped homoepitaxial diamond films.

著者 (5件)： YAMANAKA S (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  TAKEUCHI D (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  WATANABE H (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  OKUSHI H (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  KAJIMURA K (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 9  号： 3/6  ページ： 956-959  発行年： 2000年04月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メタン/水素ガスにトリメチルボロン(TMB)のBドープ剤を加...

シソーラス用語： *DLC膜 ,...
準シソーラス用語： トリメチルボロン

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0747065&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W0498A") }}

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (2件)： 補償 ,  ほう素