研究者

J-GLOBAL ID：200901009873965946 更新日: 2021年10月25日

大串秀世

オオクシヒデヨ | Ookushi Hideyo

所属機関・部署：
ホームページURL (1件)： http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=H55050372
MISC (62件)：

Sung-Gi Ri, Hideyuki Watanabe, Masahiko Ogura, Daisuke Takeuchi, Satoshi Yamasaki, Hideyo Okushi. Hydrogen plasma etching mechanism on (001) diamond. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2006. 293. 2. 311-317
Nobuteru Tsubouchi, Masahiko Ogura, Yuji Horino, Hideyo Okushi. Low-resistance p(+) layer formation into diamond using heavily B ion implantation. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2006. 89. 1. 012101-1-012101-3
H. Watanabe, H. Kume, N. Mizuochi, S. Yamasaki, S. Kanno, H. Okushi. Nitrogen incorporation in a homoepitaxial diamond thin film. DIAMOND AND RELATED MATERIALS. 2006. 15. 4-8. 554-558
Sung-Gi Ri, Christoph E. Nebel, Daisuke Takeuchi, Bohuslav Rezek, Norio Tokuda, Satoshi Yamasaki, Hideyo Okushi. Surface conductive layers on (111) diamonds after oxygen treatments. DIAMOND AND RELATED MATERIALS. 2006. 15. 4-8. 692-697
Toshiharu Makino, Hiromitsu Kato, Masahiko Ogura, Hideyuki Watanabe, Sung-Gi Ri, Y. G. Chen, Satoshi Yamasaki, Hideyo Okushi. Electrical and optical characterizations of (001)-oriented homoepitaxial diamond p-n junction. DIAMOND AND RELATED MATERIALS. 2006. 15. 4-8. 513-516

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