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J-GLOBAL ID：200902131689216144   整理番号：01A0138907

(111)Si基板上にMOCVDで成長させたGaNのMESFET

GaN MESFETs on (111)Si substrate grown by MOCVD.

著者 (4件)： EGAWA T (Nagoya Inst. Technol., Showa-ku, JPN) ,  ISHIKAWA H (Nagoya Inst. Technol., Showa-ku, JPN) ,  UMENO M (Nagoya Inst. Technol., Showa-ku, JPN) ,  NAKADA N (Nagoya Inst. Technol., Showa-ku, JPN)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 36  号： 21  ページ： 1816-1818  発行年： 2000年10月12日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNの金属-半導体電界効果トランジスタ(MESFET)を,...

シソーラス用語： *MESFET ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  MOCVD ,  成長 ,  GaN ,  MESFET