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J-GLOBAL ID：200902131782337938   整理番号：01A0523865

GaNのP-I-N整流器とSchottky整流器の性能比較

Comparison of GaN P-I-N and Schottky Rectifier Performance.

著者 (9件)： ZHANG A P (Univ. Florida, FL, USA) ,  DANG G T (Univ. Florida, FL, USA) ,  REN F (Univ. Florida, FL, USA) ,  CHO H (Univ. Florida, FL, USA) ,  LEE K-P (Univ. Florida, FL, USA) ,  PEARTON S J (Univ. Florida, FL, USA) ,  CHYI J-I (National Central Univ., Chung-Li, TWN) ,  NEE T-E (National Central Univ., Chung-Li, TWN) ,  CHUO C-C (National Central Univ., Chung-Li, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48  号： 3  ページ： 407-411  発行年： 2001年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 液冷装置を使うことなく,きわめて高い電力レベル(100kW~...

シソーラス用語： *PINダイオード ,...
準シソーラス用語： 順方向ターンオン ,...

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分類 (2件)： 整流器  (NB08040M) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  整流器 ,  性能比較