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J-GLOBAL ID：200902131806718792   整理番号：02A0929644

高周波グロー放電を用いた遠隔PECVDによる絶縁性の低誘電率SiO2層の合成と偏光解析法による評価

Synthesis and ellipsometric characterization of insulating low permittivity SiO2 layers by remote-PECVD using radio-frequency glow discharge.
著者 (2件)：
DULTSEV F N

DULTSEV F N について

(Inst. Semiconductor, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)

Inst. Semiconductor, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS について

, 
SOLOWJEV A P

SOLOWJEV A P について

(Inst. Semiconductor, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)

Inst. Semiconductor, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS について


資料名：
Thin Solid Films  (Thin Solid Films)

Thin Solid Films について


巻： 419  号： 1/2  ページ： 27-32  発行年： 2002年11月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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プレーナ型反応器中での遠隔プラズマCVDにより間隙率約60%...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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グロー放電

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類
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酸化物薄膜 
(BK14050P)

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絶縁性

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SiO2

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偏光解析法

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評価

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