極めて薄いAlN障壁を持つ二次元電子ガスAlN/GaNヘテロ構造

SMORCHKOVA I P; KELLER S; HEIKMAN S; ELSASS C R; HEYING B; FINI P; SPECK J S; MISHRA U K

文献

J-GLOBAL ID：200902132194389120 整理番号：01A0245532

極めて薄いAlN障壁を持つ二次元電子ガスAlN/GaNヘテロ構造

Two-dimensional electron-gas AlN/GaN heterostructures with extremely thin AlN barriers.

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資料名：
巻： 77 号： 24 ページ： 3998-4000 発行年： 2000年12月11日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

AlN障壁厚が24および50Åの二種類のAlN/GaNヘテロ...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , トランジスタ

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