低圧MO-VPEによる(0001)6H-SiC基質での(BAIGa)N第四系およびエピタキシャル成長

文献

J-GLOBAL ID：200902132447672028 整理番号：97A0881259

(BAlGa)N quaternary system and epitaxial growth on(0001)6H-SiC substrate by low-pressure MO-VPE.

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資料名：
巻： 2994 ページ： 52-59 発行年： 1997年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別：会議録 (C)
発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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