研究者
J-GLOBAL ID：200901080376258167   更新日: 2024年09月19日

川西 英雄

カワニシ ヒデオ | Kawanishi Hideo
研究分野 (1件)： 電子デバイス、電子機器
競争的資金等の研究課題 (8件)：
  • 2005 - 2011 AlGaN多重量子井戸半導体レーザによる深紫外半導体レーザの開発
  • 2005 - 2007 演色性に優れた高輝度・高効率白色ダイオードの開発研究
  • 1995 - BAlGaN四元混晶半導体によるによる深紫外半導体レーザの開発研究
  • 1995 - Reserch on deep ultra violet BAlGaN MQW semoconductor laser diode.
  • 深紫外発光材料BAlGaInNの研究
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MISC (215件)：
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書籍 (7件)：
  • Wide Bandgap Semiconductors
    Springer 2007
  • Wide Bandgap Semiconductors
    Springer 2007
  • ワイドギャップ半導体光・電子デバイス
    森北出版 2006
  • Handbook of semiconductor lasers and photonics integration
    CHAPMAN & HALL 1994
  • Handbook of semiconductor lasers and photonics integration
    CHAPMAN & HALL 1994
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講演・口頭発表等 (77件)：
  • Lasing characteristics of AlGaN MQW lasers gown on (0001) c-plane 4H-SiC substrate in the deep ultraviolet spectral region from 360 to 230 nm
    (2006 Japanese-Spanish-German Joint Workshop on Advanced Semiconductor Optoelectronic Material and Devices. 2006)
  • 高Al組成AlGaNからの異方性PL発光の観測
    (第53回応用物理学関連連合講演会 2006)
  • (AlN/GaN)多重バッファ層構造によるAlNエピタキシャル層のチルト角・ツイスト角狭窄化
    (第53回応用物理学関連連合講演会 2006)
  • 減圧MO-VPE法による(10-10)m面6H-SiC基板上へのGaNエピタキシャル成長(イエロー発光の低減)
    (第53回応用物理学関連連合講演会 2006)
  • Anisotropic polarization characteristics of lasing and spontaneous surface and edge emissions from deep-ultraviolet (λ≈240 nm) AlGaN multiple-quantum-well lasers
    (13th International Conf. on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 2006)
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Works (5件)：
  • 演色性に優れた高輝度・高効率白色発光ダイオードの開発研究
    2004 - 2009
  • 演色性に優れた高輝度・高効率白色発光ダイオードの開発研究
  • 窒化物半導体のエピタキシャル成長の研究
  • 窒化物半導体のエピタキシャル成長とその評価
  • 深紫外発光材料BAlGaInNの研究
学位 (3件)：
  • 工学士 (工学院大学)
  • 工学修士 (工学院大学)
  • 工学博士 (東京工業大学)
経歴 (15件)：
  • 1986 - 1991 :工学院大学工学部電子工学科助教授
  • 1986 - 1991 :Asociate Professor, Facalty of Engineering,
  • 1991 - -:工学院大学工学部電子工学科教授
  • 1991 - -:Professor, Facalty of Engineering,
  • 1983 - 1986 :工学院大学工学部電子工学科講師
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所属学会 (2件)：
応用物理学会 ,  米国物理学会
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