文献

J-GLOBAL ID：200902132838961156   整理番号：93A0912179

非晶質シリコン膜のエキシマレーザ結晶化における相転移機構

Phase transformation mechanisms involved in excimer laser crystallization of amorphous silicon films.

著者 (3件)： IM J S (Columbia Univ., New York) ,  KIM H J (Columbia Univ., New York) ,  THOMPSON M O (Cornell Univ., New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 63  号： 14  ページ： 1969-1971  発行年： 1993年10月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂上のa-Si膜のエキシマレーザ...

シソーラス用語： 非晶質半導体 ,...
準シソーラス用語： レーザフルエンス

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 非晶質 ,  シリコン膜 ,  エキシマレーザ ,  結晶化 ,  相転移