陽極酸化と転送法によるSi電界エミッタアレイの作製

文献

J-GLOBAL ID：200902133102031476 整理番号：98A0247989

Si Field Emitter Arrays Fabricated by Anodization and Transfer Technique.

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巻： 36 号： 12B ページ： 7741-7744 発行年： 1997年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

単結晶Siから成る電界エミッタアレイを標記方法で作製した。イ...

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電子源,イオン源 , 熱電子放出,電界放出 , その他の固体デバイス

引用文献 (11件)：

1) C. A. Spindt: J. Appl. Phys. 39 (1968) 3504.
2) K. Betsui: Tech. Dig. 4th Int. Vacuum Microelectronics Conf. (1991) p. 26.
3) H. F. Gray and J. L. Show: Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. (IEEE, 1991) p. 221.
4) M. Nakamoto, T. Ono, Y. Nakamura and K. Ichimura: Tech. Dig. 7th Int. Vacuum Microelectronics. Conf. (1994) p. 42.
5) T. Asano and J. Yasuda: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 6632

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