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J-GLOBAL ID：200902133111695107   整理番号：01A0694074

GaNをベースにした強磁性希薄磁性半導体の材料設計

Material Design of GaN-Based Ferromagnetic Diluted Magnetic Semiconductors.

著者 (2件)： SATO K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KATAYAMA-YOSHIDA H (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40  号： 5B  ページ： L485-L487  発行年： 2001年05月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記磁性半導体の電子構造をKorringa-Kohn-Ros...

シソーラス用語： *強磁性半導体 ,...

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分類 (2件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

引用文献 (16件)：

• 1) H. Ohno: Science 281 (1998) 951.
• 2) H. Ohno: Science 291 (2001) 840.
• 3) G. A. Medvedkin, T. Ishibashi, T. Nishi, K. Hayata, Y. Hasegawa and K. Sato: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L949.
• 4) H. Akinaga, T. Manago and M. Shirai: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L1118.
• 5) Y. Matsumoto, M. Murakami, T. Shono, T. Hasegawa, T. Fukumura, M. Kawasaki, P. Ahmet, T. Chikyow, S. Koshihara and H. Koinuma: Science 291 (2001) 854.

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  強磁性 ,  希薄磁性半導体 ,  材料設計