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J-GLOBAL ID：200902133450543642   整理番号：01A0601037

高温金属ゲートCMOS用のSiドープアルミン酸塩 低消費電力用の新しいゲート絶縁膜,Zr-Al-Si-O

Si-Doped Aluminates for High Temperature Metal-Gate CMOS: Zr-Al-Si-O, A Novel Gate Dielectric for Low Power Applications.

著者 (9件)： MANCHANDA L (Lucent Technol., N.J.) ,  MORRIS M D (Lucent Technol., N.J.) ,  HU Y (Lucent Technol., N.J.) ,  WEBER G (Lucent Technol., N.J.) ,  DONNELLY V (Lucent Technol., N.J.) ,  CIAMPA N A (Lucent Technol., N.J.) ,  FERRY E (Lucent Technol., N.J.) ,  BUSCH B (Rutgers Univ., N.J.) ,  SCHULTE H (Rutgers Univ., N.J.)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2000  ページ： 2.2.1-2.2.4  発行年： 2000年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siドープアルミン酸塩を,新しいhigh-k絶縁膜材料として...

シソーラス用語： *CMOS構造 ,...
準シソーラス用語： 金属ゲート ,...

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分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  絶縁材料  (NA04030W)

タイトルに関連する用語 (9件)： 金属ゲート ,  CMOS ,  Si ,  ドープ ,  アルミン酸塩 ,  低消費電力 ,  ゲート絶縁膜 ,  Zr ,  Al