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J-GLOBAL ID：200902133532699012   整理番号：99A0935993

CoまたはMnをドープしたZnO双結晶の作製と電気特性

Synthesis of ZnO Bicrystals Doped with Co or Mn and Their Electrical Properties.

著者 (8件)： OHASHI N (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TERADA Y (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  OHGAKI T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TANAKA S (Hitachi Ltd., Hitachi, JPN) ,  TSURUMI T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  FUKUNAGA O (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  HANEDA H (National Inst. Res. Inorganic Materials, Tsukuba, JPN) ,  TANAKA J (National Inst. Res. Inorganic Materials, Tsukuba, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38  号： 9A  ページ： 5028-5032  発行年： 1999年09月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnOセラミックのバリスタ特性へのドーパントの影響を明らかに...

シソーラス用語： *双結晶 ,...

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分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

引用文献 (20件)：

• 1) M. Matsuoka: Jpn. J. Appl. Phys. 10 (1971) 736.
• 2) K. Mukae, T. Tsuda and I. Nagasawa: Jpn. J. Appl. Phys. 16 (1977) 1361.
• 3) G. Blatter and F. Greuter: Phys. Rev. B 33 (1986) 3952.
• 4) T. Tsurumi, S. Nishizawa, N. Ohashi and T. Ohgaki: to be published in Jpn. J. Appl. Phys.
• 5) S. Tanaka, C. Akita, N. Ohashi, J. Kawai, H. Haneda and J. Tanaka: J. Solid State Chem. 105 (1993) 36.

タイトルに関連する用語 (7件)： CO ,  Mn ,  ドープ ,  ZnO ,  双結晶 ,  作製 ,  電気特性