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J-GLOBAL ID：200902133535275094   整理番号：00A0959517

選択的に成長させたpn接合ゲートを有するエンハンスメントモードのAlGaN/GaNのHFET

Enhancement mode AlGaN/GaN HFET with selectively grown pn junction gate.

著者 (6件)： HU X (Univ. South Carolina, SC, USA) ,  SIMIN G (Univ. South Carolina, SC, USA) ,  YANG J (Univ. South Carolina, SC, USA) ,  ASIF KHAN M (Univ. South Carolina, SC, USA) ,  GASKA R (Sensor Electronic Technol., Inc., NY, USA) ,  SHUR M S (Sensor Electronic Technol., Inc., NY, USA)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 36  号： 8  ページ： 753-754  発行年： 2000年04月13日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記素子の作製とキャラクタリゼーションについて述べた。ゼロゲ...

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...
準シソーラス用語： モノリシック集積回路 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 成長 ,  PN接合 ,  ゲート ,  エンハンスメントモード ,  AlGaN ,  GaN ,  HFET