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J-GLOBAL ID：200902133559694888   整理番号：98A0532920

高密度チェイン強誘電体ランダムアクセスメモリ(チェインFRAM)

High-Density Chain Ferroelectric Random Access Memory (Chain FRAM).

著者 (2件)： TAKASHIMA D (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  KUNISHIMA I (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 33  号： 5  ページ： 787-792  発行年： 1998年05月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい連鎖型強誘電体RAM(チェインFRAM)の提案を行なっ...

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,...

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分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (4件)： チェイン ,  強誘電体 ,  ランダムアクセスメモリ ,  FRAM