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J-GLOBAL ID：200902133627744767   整理番号：02A0778773

金属-酸化物-半導体トランジスタにおける遠隔電荷散乱制限移動度に対する修正した理論

Improved theory for remote-change-scattering-limited-mobility in metal-oxide-semiconductor transistors.

著者 (4件)： SAITO S (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  TORII K (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  HIRATANI M (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  ONAI T (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 81  号： 13  ページ： 2391-2393  発行年： 2002年09月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遠隔電荷散乱制限移動度の効果を含めて,MOSFETの輸送理論...

シソーラス用語： *MOS構造 ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸化物 ,  トランジスタ ,  電荷 ,  散乱 ,  制限 ,  移動度 ,  理論