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J-GLOBAL ID：200902133633488926   整理番号：02A0106722

Kilovolt AlGaN/GaN HEMTs as Switching Devices.

著者 (6件)： ZHANG N-Q (Univ. California, CA, USA) ,  MORAN B (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS S P (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA U K (Univ. California, CA, USA) ,  WANG X W (Yale Univ., CT, USA) ,  MA T P (Yale Univ., CT, USA)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 188  号： 1  ページ： 213-217  発行年： 2001年11月16日 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： AlGaN ,  GaN