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J-GLOBAL ID：200902133799068860   整理番号：01A0432802

水素エッチングを付加した低気圧BEN法による広領域・高密度核発生

Large area and high density nucleation by using BEN method with hydrogen etching at a low pressure.

著者 (4件)： 青木孝輔 (福岡工大) ,  工藤孝一 (福岡工大) ,  豊福正治 (福岡工大) ,  小城左臣 (北九州工高専)
資料名： 福岡工業大学研究論集  (Research Bulletin of Fukuoka Institute of Technology)
巻： 33  号： 1  ページ： 7-12  発行年： 2000年10月16日 
JST資料番号： X0506A  ISSN： 0287-6620  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 水素エッチングによる酸化膜除去に続き,低気圧中でのBEN(バ...

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,...

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分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素 ,  エッチング ,  低気圧 ,  広領域 ,  高密度