文献

J-GLOBAL ID：200902133809511733   整理番号：03A0023848

相変化型不揮発性メモリーの現状と可能性

Nonvolatile memory based on phase change.

著者 (2件)： 中山和也 (金沢大 医 保健学科) ,  福島早奈恵 (金沢大 大学院自然科学研究科)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 71  号： 12  ページ： 1513-1517  発行年： 2002年12月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ある種のカルコゲナイド半導体は,高抵抗なアモルファス状態と低...

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,...
準シソーラス用語： 相変化メモリ

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0023848&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0252A") }}

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

引用文献 (13件)：

• FEINLEIB, J. Appl. Phys. Lett. 1971, 18, 254
• PEARSON, A. D. Advances in Glass Technology. 1962, 357
• OVSHINSKY, S. R. Phys. Rev. Lett. 1968, 21, 1450
• 浜川圭弘. 電子材料. 1972, 77
• GOSAIN, D. P. Jpn. J. Appl. Phys. 1989, 28, 1013

タイトルに関連する用語 (4件)： 相変化 ,  不揮発性メモリー ,  現状 ,  可能性