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J-GLOBAL ID：200902133980084169   整理番号：00A0812243

化学蒸着により成長させたSi_1-xGe_x/Si歪超格子と緩和仮想基板の構造評価

Structural characterization of Si_1-xGe_x/Si strained superlattices and relaxed virtual substrates grown by chemical vapor deposition.

著者 (8件)： BOZZO S (CRMC2-CNRS, Marseille, FRA) ,  LAZZARI J-L (CRMC2-CNRS, Marseille, FRA) ,  HOLLAENDER B (Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, DEU) ,  COUDREAU C (CRMC2-CNRS, Marseille, FRA) ,  RONDA A (CRMC2-CNRS, Marseille, FRA) ,  MANTL S (Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, DEU) ,  D’AVITAYA F A (CRMC2-CNRS, Marseille, FRA) ,  DERRIEN J (CRMC2-CNRS, Marseille, FRA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 164  ページ： 35-41  発行年： 2000年09月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 市販のCVDコールドウォール縦型炉内でSiH<sub>4<...

シソーラス用語： *ケイ素合金 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 化学蒸着 ,  成長 ,  Si ,  歪 ,  超格子 ,  緩和 ,  仮想 ,  構造評価