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J-GLOBAL ID：200902134037991102   整理番号：00A0480335

電子ビームリソグラフィーによって作った室温Al単一電子トランジスタ

Room-temperature Al single-electron transistor made by electron-beam lithography.

著者 (3件)： PASHKIN Y A ,  NAKAMURA Y ,  TSAI J S
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 76  号： 16  ページ： 2256-2258  発行年： 2000年04月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温においてゲート変調を示すAl単一電子トランジスタを作った...

シソーラス用語： 電子ビームリソグラフィー ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子ビームリソグラフィー ,  室温 ,  Al ,  単一電子トランジスタ