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J-GLOBAL ID：200902134091793650   整理番号：00A0121209

GaN金属-半導体電界効果トランジスタにおける電流崩壊の原因となる深いトラップの観測

Observation of deep traps responsible for current collapse in GaN metal-semiconductor field-effect transistors.
著者 (4件)：
KLEIN P B

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(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)

Naval Res. Lab., Washington, D.C. について

, 
FREITAS J A JR

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(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)

Naval Res. Lab., Washington, D.C. について

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BINARI S C

BINARI S C について

(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)

Naval Res. Lab., Washington, D.C. について

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WICKENDEN A E

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(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)

Naval Res. Lab., Washington, D.C. について


資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について


巻： 75  号： 25  ページ： 4016-4018  発行年： 1999年12月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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シソーラス用語：
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*窒化ガリウム

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分類 (1件)：
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トランジスタ 
(NC03070N)

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GaN

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金属-半導体電界効果トランジスタ

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トラップ

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