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J-GLOBAL ID：200902134125150363   整理番号：97A1019177

RFスパッタしたPb(Zr,Ti)O₃強誘電体薄膜に関する組成安定性の制御

Stability Control of Composition of RF-Sputtered Pb(Zr, Ti)O₃ Ferroelectric Thin Film.

著者 (4件)： SUU K (ULVAC Japan, Ltd., Chiba, JPN) ,  OSAWA A (ULVAC Japan, Ltd., Chiba, JPN) ,  NISHIOKA Y (ULVAC Japan, Ltd., Chiba, JPN) ,  TANI N (ULVAC Japan, Ltd., Chiba, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36  号： 9B  ページ： 5789-5792  発行年： 1997年09月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記成膜過程における膜組成の変動(Pbの減少)を改善した。基...

シソーラス用語： RFスパッタリング ,...
準シソーラス用語： *PZT【鉛化合物】

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

引用文献 (17件)：

• 1) R. Ramesh, H. Gilchrist, T. Sands, V. G. Keramidas, R. Haaknenaasen and D. K. Fork: Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 3592
• 2) S. Yamamichi, T. Sakuma, K. Takamura and Y. Miyasaka: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) 2193.
• 3) K. Abe and S. Komatsu: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) 2985.
• 4) T. Kuroiwa, T. Honda, H. Watarai and K. Sato: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) 3025.
• 5) Y. Miyasaka and S. Matsubara: Proc. 1990 IEEE the seventh Int. Symp. Applications of Ferroelectrics 1990, P121.

タイトルに関連する用語 (8件)： RFスパッタ ,  Pb ,  Zr ,  Ti ,  O3 ,  強誘電体薄膜 ,  組成 ,  安定性