In<sub>0.02</sub>Ga<sub>0.98</sub>N活性層から成る紫外線発光ダイオード中の発光性および非発光性再結合過程

NARUKAWA Y; SAIJOU S; KAWAKAMI Y; FUJITA S; MUKAI T; NAKAMURA S

文献

J-GLOBAL ID：200902134317450735 整理番号：99A0277076

In_0.02Ga_0.98N活性層から成る紫外線発光ダイオード中の発光性および非発光性再結合過程

Radiative and nonradiative recombination processes in ultraviolet light-emitting diode composed of an In_0.02Ga_0.98N active layer.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=99A0277076&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0277076&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 74 号： 4 ページ： 558-560 発行年： 1999年01月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

光誘起電圧,エレクトロリフレクタンスおよび時間分解光ルミネセ...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0277076&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

半導体のルミネセンス , 発光素子

, , , ,

前のページに戻る

In0.02Ga0.98N活性層から成る紫外線発光ダイオード中の発光性および非発光性再結合過程

In_0.02Ga_0.98N活性層から成る紫外線発光ダイオード中の発光性および非発光性再結合過程