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J-GLOBAL ID：200902134398405160   整理番号：01A1010184

CVD法で成長した4H-SiCエピタキシャル層におけるドーピングとトラップ濃度の減少

Reduction of doping and trap concentrations in 4H-SiC epitaxial layers grown by chemical vapor deposition.

著者 (4件)： KIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NAKAZAWA S (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HASHIMOTO K (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 79  号： 17  ページ： 2761-2763  発行年： 2001年10月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水平熱壁CVD法で高純度の厚い4H-SiC(0001)エピ層...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： CVD法 ,  成長 ,  4H-SiC ,  エピタキシャル層 ,  ドーピング ,  トラップ