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J-GLOBAL ID：200902134432018367   整理番号：96A0798438

GaNヘテロ接合電界効果トランジスタで実現した非常に高いブレークダウン電圧と大きい相互コンダクタンス

Very high breakdown voltage and large transconductance realized on GaN heterojunction field effect transistors.

著者 (7件)： WU Y-F (Univ. California, California) ,  KELLER B P (Univ. California, California) ,  KELLER S (Univ. California, California) ,  KAPOLNEK D (Univ. California, California) ,  KOZODOY P (Univ. California, California) ,  DENBAARS S P (Univ. California, California) ,  MISHRA U K (Univ. California, California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 69  号： 10  ページ： 1438-1440  発行年： 1996年09月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 故意にドープしていない1.5μmゲート長のAlGaN/GaN...

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,...
準シソーラス用語： MODFET

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  ヘテロ接合 ,  電界効果トランジスタ ,  ブレークダウン電圧 ,  相互コンダクタンス