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J-GLOBAL ID：200902134535187060   整理番号：02A0521531

GaAs1-xBix系半導体アロイの特性

Characteristics of Semiconductor Alloy GaAs1-xBix.
著者 (1件)：
OE K

OE K について

(Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)

Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN について


資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers について


巻： 41  号： 5A  ページ： 2801-2806  発行年： 2002年05月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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有機金属気相成長法(MOVPE)によって成長させたGaAs<...
シソーラス用語：
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*MOCVD

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分類 (2件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

,  半導体のルミネセンス 
(BM08092S)

半導体のルミネセンス について

引用文献 (22件)：
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タイトルに関連する用語 (1件)：
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アロイ

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