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J-GLOBAL ID：200902134681759440   整理番号：02A0239689

Excitonic Emissions in ZnTe/GaAs Films Grown by Hot-Wall Epitaxy.

著者 (6件)： SETO S (Ishikawa National Coll. Technol., Ishikawa, JPN) ,  MOCHIDA N (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  INABE K (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  SUZUKI K (Hokkaido Inst. Technol., Sapporo, JPN) ,  KURODA T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MINAMI F (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Research  (Physica Status Solidi. B. Basic Research)
巻： 229  号： 1  ページ： 587-590  発行年： 2002年01月01日 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： ZnTe ,  GaAs ,  HOT