半導体上への金属の電析 III 電荷移動の特徴とSchottkyダイオード形成のための指針

文献

J-GLOBAL ID：200902134740549608 整理番号：94A0158163

Metal electrodeposition on semiconductors. Part III: Description of charge transfer and implication for the formation of Schottky diodes.

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巻： 362 号： 1/2 ページ： 89-95 発行年： 1993年12月30日
JST資料番号： D0037A ISSN： 1572-6657 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

n-GaAs及びn-InP上への金属の電析過程のメカニズムを...

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半導体-金属接触 , 電極過程 , 金属薄膜

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