SiGeバイポーラ技術による40Gbit/s 2<sup>7</sup>-1 PRBS発生器IC

文献

J-GLOBAL ID：200902134839064487 整理番号：02A0889171

SiGeバイポーラ技術による40Gbit/s 2⁷-1 PRBS発生器IC

40Gbit/s 2⁷-1 PRBS Generator IC in SiGe Bipolar Technology.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=02A0889171&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0889171&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W0105A") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 2002 ページ： 124-127 発行年： 2002年
JST資料番号： W0105A ISSN： 1088-9299 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0889171&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W0105A") }}

発振回路 , 半導体集積回路

, , ,

前のページに戻る