有機金属化学気相成長法による(111)GaAs基板への立方晶GaNのエピタキシャル成長

文献

J-GLOBAL ID：200902134955778900 整理番号：95A0498257

Epitaxial Growth of Cubic GaN on (111) GaAs by Metalorganic Chemical Vapor Deposition.

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巻： 24 号： 4 ページ： 213-218 発行年： 1995年04月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

低圧有機金属化学気相成長法により育成した立方晶GaNの構造特...

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半導体の結晶成長

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